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IPP50CN10N G /Infineon Technologies/分立半导体产品
IPP50CN10N G的规格信息
IPP50CN10N G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 20µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1090pF @ 50V

功率 - 最大值:44W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220-3

其它名称:IPP50CN10N G-NDIPP50CN10NGHKSA1IPP50CN10NGINIPP50CN10NGXIPP50CN10NGXKIPP50CN10NGXKSA1SP000096474SP000680930

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IPP50CN10N GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品125+:¥9.5201
500+:¥8.56
2500+:¥7.46
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